Номер детали производителя : | 1N457A BK | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Central Semiconductor | Состояние на складе : | - |
Описание : | DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | 1N457A BK(1).pdf1N457A BK(2).pdf1N457A BK(3).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | 1N457A BK |
---|---|
производитель | Central Semiconductor |
Описание | DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | 1N457A BK(1).pdf1N457A BK(2).pdf1N457A BK(3).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1 V @ 100 mA |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 70 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-35 |
скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Серии | - |
Упаковка / | DO-204AH, DO-35, Axial |
Упаковка | Bulk |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 200°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 25 nA @ 70 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 200mA |
Емкостной @ В.Р., F | 6pF @ 0V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 70V 150MA DO35
DIODE GEN PURP 70V 150MA DO35
DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35
DIODE GP REV 70V 150MA DO35
HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIO
DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35
DIODE GP REV 70V 150MA DO213AA
DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35